Sub-nT AMR sensors based on low noise La0.7Sr0.3MnO3 thin films for neuronal activity measurement - GREYC electronique
Poster De Conférence Année : 2019

Sub-nT AMR sensors based on low noise La0.7Sr0.3MnO3 thin films for neuronal activity measurement

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique Electronique

Laurence Méchin  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02523176

Soumis le : samedi 28 mars 2020-15:06:06

Dernière modification le : mardi 18 juin 2024-16:54:02

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02523176 , version 1 (28-03-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02523176 , version 1

Citer

Luiz Guiherme Enger, Olivier Rousseau, Stéphane Flament, Bruno Guillet, Marc Lam Chok Sing, et al.. Sub-nT AMR sensors based on low noise La0.7Sr0.3MnO3 thin films for neuronal activity measurement. Magnetic frontiers - Magnetic Sensors, Jun 2019, Lisbonne, Portugal. ⟨hal-02523176⟩

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