Low Frequency Noise in In-Situ SiN Passivated InAlGaN/GaN HEMTs - GREYC electronique
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Low Frequency Noise in In-Situ SiN Passivated InAlGaN/GaN HEMTs

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique Electronique

Laurence Méchin  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02523201

Soumis le : samedi 28 mars 2020-15:37:13

Dernière modification le : mercredi 20 mars 2024-16:20:04

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02523201 , version 1 (28-03-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02523201 , version 1

Citer

Mehdi Rzin, Bruno Guillet, Laurence Méchin, Piero Gamarra, Cédric Lacam, et al.. Low Frequency Noise in In-Situ SiN Passivated InAlGaN/GaN HEMTs. ICNF 2017 (24th International Conference on Noise and Fluctuations), Jun 2017, Vilnius, Lithuania. ⟨hal-02523201⟩

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