Dimensionnement et réalisation d’un banc de caractérisation de modules MOSFET SiC - DUMAS - Dépôt Universitaire de Mémoires Après Soutenance
Mémoires Année : 2022

Dimensionnement et réalisation d’un banc de caractérisation de modules MOSFET SiC

Résumé

This work was carried out within the framework of a collaboration contract between the national conservatory of arts and crafts CNAM-Paris (SATIE laboratory) and the company Safran. The work took place at SATIE on the CNAM-Paris site. This work was supervised by Stéphane Lefebvre and Denis Labrousse and carried out by Mohamed Chouli. Silicon Carbide (SiC) should make it possible to push the limits of converters in three directions: high voltage withstand, high operating temperature and switching speed. Today, various manufacturers market SiC MOSFET modules (bridge arms) in voltage ranges from 1200V to 1700V. These recent technology modules are not necessarily totally optimized in terms of internal wiring (overvoltage at the terminals of the switches) and the "datasheet" characterizations of the chips must be taken with precaution. The work carried out under this research contract therefore aims to electrically and thermally characterize these power modules in order to realistically assess their potential for use and the gains that can be envisaged compared to more traditional silicon-based technologies.
Ce travail a été réalisé dans le cadre d’un contrat de collaboration entre le conservatoire national des art et métiers CNAM-Paris (laboratoire SATIE) et la société Safran. Les travaux se sont déroulés au SATIE sur le site du CNAM-Paris. Ces travaux ont été suivis par Stéphane Lefebvre et Denis Labrousse et réalisés par Mohamed Chouli. Le Carbure de Silicium (SiC) doit permettre de repousser les limites des convertisseurs dans trois directions : tenue en tension élevée, haute température de fonctionnement et rapidité de commutation. Aujourd’hui, différents fabricants commercialisent des modules MOSFET SiC (bras de pont) sur des gammes de tension allant de 1200V à 1700V. Ces modules de technologie récente ne sont pas nécessairement totalement optimisés en matière de câblage interne (surtension au bornes des interrupteurs) et les caractérisations «datasheet» des puces doivent être prises avec précaution. Les travaux réalisés dans le cadre de ce contrat de recherche ont donc pour objectif de caractériser électriquement et thermiquement ces modules de puissances afin d’évaluer de façon réaliste leur potentiel d’utilisation et les gains envisageables par rapport aux technologies plus classique à base de silicium.

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Origine Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

dumas-03609344 , version 1 (15-03-2022)

Identifiants

  • HAL Id : dumas-03609344 , version 1

Citer

Mohamed Chouli. Dimensionnement et réalisation d’un banc de caractérisation de modules MOSFET SiC. Energie électrique. 2022. ⟨dumas-03609344⟩
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